技术参数 (1)寿命测试范围:5~10000μs;电阻率测量范围:ρ≥2Ω·cm; 测电子级参杂硅单晶片(厚度小于 1mm),电阻率范围:ρ>0.1Ω·cm(表面可能需要抛光处理)。 测量重复性误差≤±20%。 (2)光脉冲发生装置 重复频率>20~30次/s,光脉冲关断时间:0.2~1μs,余辉<1μs 红外光源波长:1.06~1.09μm(测量硅单晶),红外光在硅单晶内穿透深1度大于500μm如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源
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